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        產品分類

        Product Categories
        30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
        30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
        產品品牌:宇芯微
        產品類型:中低壓MOS管
        產品型號:180N03
        產品封裝:TO-252
        產品標題:宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場效應管
        咨詢熱線:0769-89027776

        產品詳情


        宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場效應管



        低壓NMOSFET 180N03的產品應用:

        • 鋰電保護

        • 負載開關

        • 不間斷電源



        低壓NMOSFET 180N03的極限值:

        (如無特殊說明,TC=25℃)

        • 漏極-源極電壓 VDS:30V

        • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

        • 漏極電流-連續 ID:180A

        • 漏極電流-脈沖 IDM:500A

        • 總耗散功率 PD:187W

        • 存儲溫度 TSTG:-55~+175℃

        • 工作結溫 TJ:-55~+175℃

        • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.8℃/W

        • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W



        低壓NMOSFET 180N03的電特性:

        (如無特殊說明,TJ=25℃)

        符號
        參數MIN值TYP值MAX值單位
        BVDSS漏極-源極擊穿電壓3038
        V
        RDS(ON)靜態漏源導通電阻

        VGS=10V,ID=30A


        2.13.2
        靜態漏源導通電阻

        VGS=4.5V,ID=15A


        33.8
        VGS(th)
        柵極開啟電壓1.21.62.5V
        IGSS柵極漏電流

        ±100nA
        Qg柵極電荷
        56.9
        nC
        Qgs柵源電荷密度

        13.8
        Qgd柵漏電荷密度
        23.5
        Ciss輸入電容
        5850
        pF
        Coss輸出電容
        720
        Crss反向傳輸電容
        525
        td(on)開啟延遲時間
        20.1
        ns
        tr開啟上升時間

        6.3


        td(off)關斷延遲時間
        124.6
        tf
        開啟下降時間
        15.8


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