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        宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國產可控硅,高壓可控硅,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
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        100N10 TO-252 馬達用場效應管
        100N10 TO-252 馬達用場效應管
        產品品牌:宇芯微
        產品類型:中低壓MOS管
        產品型號:100N10
        產品封裝:TO-252
        產品標題:100V場效應管 100N10 TO-252 馬達用MOS管 8mΩ 低內阻MOS
        咨詢熱線:0769-89027776

        產品詳情


        100V場效應管 100N10 TO-252 馬達用MOS管 8mΩ 低內阻MOS



        100V場效應管 100N10的特點:

        • VDS=100V

        • ID=100A

        • RDS(ON)<8mΩ@VGS=10V(Type:6mΩ)

        • 封裝:TO-252



        100V場效應管 100N10的極限值:

        (如無特殊說明,TC=25℃)

        符號參數數值單位
        VDS漏極-源極電壓100
        V
        VGS柵極-源極電壓±20
        ID漏極電流-連續(TA=25℃)100A
        IDM漏極電流-脈沖210
        PD總耗散功率100W
        EAS單脈沖雪崩能量100mJ
        IAS雪崩電流40A
        RθJA
        結到環境的熱阻62℃/W
        RθJC結到管殼的熱阻1.25
        TSTG存儲溫度-55~150
        TJ工作結溫-55~150



        100V場效應管 100N10的電特性:

        (如無特殊說明,TC=25℃)

        符號
        參數MIN值TYP值MAX值單位
        BVDSS漏極-源極擊穿電壓100108
        V
        RDS(ON)靜態漏源導通電阻

        VGS=10V,ID=13.5A


        68
        靜態漏源導通電阻

        VGS=4.5V,ID=11.5A


        8.710.5
        VGS(th)
        柵極開啟電壓1.21.82.3V
        IGSS柵極漏電流

        ±100nA
        Qg柵極電荷
        45
        nC
        Qgs柵源電荷密度

        9.5
        Qgd柵漏電荷密度
        4.8
        Ciss輸入電容
        3320
        pF
        Coss輸出電容
        605
        Crss反向傳輸電容
        20
        td(on)開啟延遲時間
        10
        ns
        tr開啟上升時間

        6.5


        td(off)關斷延遲時間
        45
        tf
        開啟下降時間
        7.5


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