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        宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國產可控硅,高壓可控硅,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
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        Product Categories
        超小封裝PMOS MTP1013C3 SOT-523
        超小封裝PMOS MTP1013C3 SOT-523
        產品品牌:宇芯微
        產品類型:中低壓MOS管
        產品型號:MTP1013C3
        產品封裝:SOT-523
        產品標題:低壓場效應管 超小封裝PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封裝P管
        咨詢熱線:0769-89027776

        產品詳情


        低壓場效應管 超小封裝PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封裝P管



        image.png



        超小封裝PMOS MTP1013C3的產品特點:

        • BVDSS:-20V

        • ID:-0.5A

        • RDS(ON):0.63Ω(typ)@VGS=-4.5V

        • 超小封裝:SOT-523



        超小封裝PMOS MTP1013C3的極限參數:

        如無特殊說明,TJ=25℃

        • 漏極-源極電壓 VDS:-20V

        • 柵極-源極電壓 VGS:±8V

        • 漏極電流-連續 ID:-0.5A

        • 漏極電流-脈沖 IDM:-2A

        • 總耗散功率 PD:280W

        • 存儲溫度 TSTG:-55~+150℃

        • 工作結溫 TJ:-55~+150℃



        超小封裝PMOS MTP1013C3的電特性:

        如無特殊說明,TJ=25℃

        符號
        參數MIN值TYP值MAX值單位
        BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20

        V
        RDS(ON)靜態漏源導通電阻

        VGS=-4.5V,ID=-500mA


        0.630.9Ω
        靜態漏源導通電阻

        VGS=-2.5V,ID=-300mA


        1.11.4
        靜態漏源導通電阻

        VGS=-1.8V,ID=-10mA


        1.72.7
        VGS(th)
        柵極開啟電壓-0.5
        -1.2V
        IGSS柵極漏電流

        ±2μA
        Qg柵極電荷
        1.5
        nC
        Qgs柵源電荷密度

        0.28
        Qgd柵漏電荷密度
        0.44
        Ciss輸入電容
        59
        pF
        Coss輸出電容
        21
        Crss反向傳輸電容
        15
        td(on)開啟延遲時間
        5
        ns
        tr開啟上升時間

        6


        td(off)關斷延遲時間
        42
        tf
        開啟下降時間
        14


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