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        宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國產可控硅,高壓可控硅,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
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        產品分類

        Product Categories
        8N10 SOT223-3L 100V/8A 國產低壓MOS
        8N10 SOT223-3L 100V/8A 國產低壓MOS
        產品品牌:宇芯微
        產品類型:中低壓MOS管
        產品型號:8N10
        產品封裝:SOT223-3L
        產品標題:常用場效應管 NMOS管 8N10 SOT223-3L 100V/8A 國產低壓MOS
        咨詢熱線:0769-89027776

        產品詳情


        常用場效應管 NMOS管 8N10 SOT223-3L 100V/8A 國產低壓MOS



        國產低壓MOS 8N10的引腳圖:

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        國產低壓MOS 8N10的應用領域:

        • 鋰電保護

        • 負載開關

        • UPS 不間斷電源



        國產低壓MOS 8N10的極限參數:

        (如無特殊說明,TC=25℃)

        符號參數數值單位
        VDS漏極-源極電壓100
        V
        VGS柵極-源極電壓±20
        ID漏極電流-連續(TC=25℃)8A
        漏極電流-連續(TC=100℃)6.5
        IDM漏極電流-脈沖24
        PD總耗散功率(TC=25℃)30W
        總耗散功率(TA=25℃)2.7
        EAS單脈沖雪崩能量100mJ
        IAS雪崩電流40A
        RθJA
        結到環境的熱阻100℃/W
        RθJC結到管殼的熱阻5.1
        TSTG存儲溫度-55~150
        TJ工作結溫-55~150



        國產低壓MOS 8N10的電特性:

        (如無特殊說明,TJ=25℃)

        符號
        參數MIN值TYP值MAX值單位
        BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
        V
        RDS(ON)靜態漏源導通電阻

        VGS=10V,ID=5A


        88110
        靜態漏源導通電阻

        VGS=4.5V,ID=3A


        96140
        VGS(th)
        柵極開啟電壓11.52.5V
        IGSS柵極漏電流

        ±100nA
        Qg柵極電荷
        12
        nC
        Qgs柵源電荷密度

        2.2
        Qgd柵漏電荷密度
        2.5
        Ciss輸入電容
        765
        pF
        Coss輸出電容
        38
        Crss反向傳輸電容
        33
        td(on)開啟延遲時間
        7
        ns
        tr開啟上升時間

        5


        td(off)關斷延遲時間
        16
        tf
        開啟下降時間
        6


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