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        6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS
        6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS
        產品品牌:宇芯微
        產品類型:中低壓MOS管
        產品型號:6N04
        產品封裝:SOT89-3L
        產品標題:通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS 40mΩ LED用MOS管
        咨詢熱線:0769-89027776

        產品詳情


        通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS 40mΩ LED用MOS管



        通用MOSFET 6N04的特點:

        • VDS=40V

        • ID=6A

        • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)

        • 封裝形式:SOT89-3L



        通用MOSFET 6N04的極限參數:

        (如無特殊說明,TC=25℃)

        • 漏極-源極電壓 VDS:40V

        • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

        • 漏極電流-連續 ID:6A

        • 漏極電流-脈沖 IDM:18A

        • 總耗散功率 PD:1.67W

        • 存儲溫度 TSTG:-55~+150℃

        • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

        • 結到管殼的熱阻 RθJC:30℃/W

        • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W



        通用MOSFET 6N04的電特性:

        (如無特殊說明,TJ=25℃)

        符號
        參數MIN值TYP值MAX值單位
        BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
        V
        RDS(ON)靜態漏源導通電阻

        VGS=10V,ID=4A


        2840
        靜態漏源導通電阻

        VGS=4.5V,ID=3A


        3550
        VGS(th)
        柵極開啟電壓11.52.5V
        IGSS柵極漏電流

        ±100nA
        Qg柵極電荷
        5
        nC
        Qgs柵源電荷密度

        1.54
        Qgd柵漏電荷密度
        1.84
        Ciss輸入電容
        452
        pF
        Coss輸出電容
        51
        Crss反向傳輸電容
        38
        td(on)開啟延遲時間
        7.8
        ns
        tr開啟上升時間

        2.1


        td(off)關斷延遲時間
        29
        tf
        開啟下降時間
        2.1


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